理学院数理讲坛（2013年第六讲）
发布时间: 2013-04-17 08:22
理学院数理讲坛（2013年第六讲）
报告题目：电场/磁场控制器件中的磁/自旋特性
报 告 人：王开友研究员（中科院半导体所）
报告时间：4月18日（周四）下午2：00
报告地点：龙赛理科楼北楼311报告厅
摘要：自旋电子学的核心概念是利用电子的自旋而不仅仅是电子电荷来进行信息的处理和存储，它具有速度快、非挥发性及能量损耗低等优点。结合电磁输运和磁光克尔成像，在对易磁化轴是垂直于生长表面的(Ga,Mn)As样品的磁场和电流驱动磁畴壁运动的研究中，我们观察到在磁场作用下，面内磁各向异性的强烈的影响畴壁的运动。在电流作用下，电流驱动磁畴壁运动的主要物理原因是由于自旋矩转移，沿不同晶向电流驱动磁畴壁需要的临界电流密度和磁化强度有非线性的依赖关系，它的并且通过微磁模拟，我们获得同实验数据相同数量级的临界电流密度。我们通过研究发现可以通过降低磁各向异性来降低器件电流驱动磁畴壁运动的临界电流密度。最近我们利用自旋轨道耦合场对铁磁半导体器件的磁特性进行调控具有各向异性。如果有时间我们还讨论单壁碳纳米管器件中的电子和自旋调控。
报告人简介: 王开友，研究员,博士生导师，（2009年入选中科院“百人计划”， 2012年获得“国家杰出青年基金”）。 2005年在英国诺丁汉大学天文物理学院获得哲学博士学位。2005年3月－5月在诺丁汉大学作研究助理， 2005年6月－2009年3月在日立剑桥研究实验室作Researcher。曾经两次在波兰科学院物理研究所做访问研究，2007年9 月-10月作为访问教授在丹麦玻尔研究所进行短期访问研究。2009年得到中国科学院"百人计划"的资助，加入半导体研究所超晶格国家重点实验室工作，并于2012年获得国家自然科学基金委的国家杰出青年基金资助。迄今在国际核心刊物和国际会议上合作发表了70多篇科技论文，其中包括1篇自然物理，5篇物理评论快报，一篇邀请文章发表在新物理杂志的特殊期刊上，发表的文章迄今被引用2100多次。 在27届国际半导体会议上被国际纯物理和应用物理组织（IUPAP）评为“青年优秀作者奖”； 且获得第二届“中国海外优秀自费留学生奖”。 王开友研究员自从1997年开始开展自旋电子学方面的研究,主要在磁性半导体的电、磁特性方面以及单壁纳米炭管微纳器件中的自旋相关现象做出了比较有特色的的工作，当前的研究兴趣主要是微纳自旋电子学器件研究。
欢迎感兴趣的老师和同学参加！