理学院数理讲坛（2013年第十七讲）
发布时间: 2013-06-09 11:55
理学院数理讲坛（2013年第十七讲）
报告题目：AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构
报 告 人：赵子奇博士（电子科学技术大学）
报告时间：6月13日（周四）上午10:00
报告地点：龙赛理科楼北楼116会议室
报告人简介：大学本科就读于四川大学微电子学专业, 毕业后在电子科学技术大学攻读微电子与固体电子学专业硕士和博士学位。他在研究生期间，一直从事GaN宽禁带半导体微波器件与功率器件的研究与设计，特别是对GaN HFET器件物理机制，制备工艺与版图设计有较深入的研究。
欢迎感兴趣的老师和同学参加！