理学院数理讲坛（2018年第01讲）
报告题目：Concepts of Ferrovalley Material and Anomalous Valley Hall Effect
报告人：段纯刚教授，博导, 杰青
单 位：华东师范大学
报告时间：2018年1月7日 下午 13:30-14:00
报告地点：阳明学院303
报告摘要：Valleytronics rooted in the valley degree of freedom is of both theoretical and technological importance as it offers additional opportunities for information storage, as well as electronic, magnetic and optical switches. In analogy to ferroelectric materials with spontaneous charge polarization, or ferromagnetic materials with spontaneous spin polarization, here we introduce a new member of ferroic family, that is, a ferrovalley material with spontaneous valley polarization. Combining a two-band k·p model with first-principles calculations, we show that 2H-VSe2 monolayer, where the spin-orbit coupling coexists with the intrinsic exchange interaction of transition-metal d electrons, is such a room-temperature ferrovalley material. We further predict that such system could demonstrate many distinctive properties, for example, chirality-dependent optical band gap and, more interestingly, anomalous valley Hall effect. On account of the latter, functional devices based on ferrovalley materials, such as valley-based nonvolatile random access memory and valley filter, are contemplated for valleytronic applications.
报告人简介：
1994年武汉大学物理系本科毕业，1998年中科院物理所理论物理博士毕业。1998年至2007年分别在美国内布拉斯加州奥马哈和林肯大学任研究助理博士后和研究助理教授，2007年同济大学物理系教授，2008年作为紫江特聘教授调入华东师范大学信息科学技术学院[1] 极化材料与器件教育部重点实验室工作，任实验室副主任。2008年上海市浦江人才，2008年上海市曙光学者，2009年教育部“新世纪优秀人才”，2009年教育部创新团队“极化类信息功能材料”学术带头人，2010年入选“上海领军人才”计划，2011年获得国家杰出青年科学基金，2013年上海市优秀学术带头人。在Nano Lett.，Phys. Rev. Lett.，Chem. Mater.，Appl. Phys. Lett.，Europhys. Lett.,Phys. Rev. B等国际著名学术刊物上共发表学术论文70余篇，SCI引用逾1600次，引用刊物包括Nature、Science等。
现为中国材料研究学会计算材料学分会委员，曾任第4届国际材料大会多铁体分会(2012年）国际顾问委员会成员，第4届亚太多铁会委员。主要从事固体材料结构和物性的理论研究和计算模拟，研究领域包括：⒈多铁体，磁电体，铁电体，铁磁体和自旋电子学材料等信息功能材料;⒉纳米结构：超薄膜，表面界面，纳米管等;⒊磁性和铁电材料隧道结的自旋输运;⒋分子动力学和蒙特卡罗模拟。