报告主题：《自旋电子学材料、物理和器件研究进展》
报 告 人：中国科学院物理研究所 韩秀峰 研究员
报告时间: 2020年9月21日(星期一) 13:30--15:00
报告地点：北楼116会议室
报告摘要：自旋电子学器件将对计算机、物联网、人工智能、工业与民品、航空航天、深海探测、心磁脑磁成像与医疗检测、信息科学和技术等领域的关键技术发展起到升级换代的推动作用。该报告将简述新型磁性隧道结及其隧穿磁电阻(TMR)、基于量子阱态的自旋共振隧穿磁电阻(QW-TMR)、磁子阀(MV)和磁子结(MJ)等新奇自旋量子效应研究，并简要介绍相关磁异质结构材料和自旋量子效应及在自旋电子学核心器件方面的代表性应用。如：磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑、TMR磁敏传感器、自旋纳米振荡器和微波探测器、自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管以及新型磁子阀和磁子结等关键器件等。
报告人简介：韩秀峰，中科院物理所研究员、博导。1984年毕业于兰州大学、1993年在吉林大学获博士学位。1998-2002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2003年获国家杰出青年基金资助；2007和2010年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年获“新世纪百千万人才工程国家级人选”。现任国际期刊JMMM副主编、SPIN和Sensors等杂志编委。主要从事“自旋电子学材料、物理和器件”研究。发表SCI学术论文360余篇；获中国发明和国际专利授权80余项；有国际会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》、参与撰写《Handbook of Spintronics》等其他4部专著。发现6种新奇自旋量子效应；2006年研制出一种新型纳米环磁随机存储器(Nanoring STT-NMRAM)原理型演示器件(获2013年度北京市科学技术一等奖)、2009年率先提出自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)原型设计；还研制出SOT型非易失多功能可编程自旋逻辑、一种高灵敏度TMR磁敏传感器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、纳米环自旋纳米振荡器、纳米环自旋微波探测器和纳米环随机数字发生器等原型器件、一类新型磁子阀和磁子结等原型器件。获2018年亚洲磁学联盟奖(AUMS Award 2018)。
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